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IXTR20P50P
-35
-30
-25
Fig. 7. Input Admittance
40
35
30
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
25
-20
20
-15
-10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
15
125oC
10
-5
0
5
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-60
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-9
V DS = -250V
-50
-8
I D = - 10A
I G = -1mA
-7
-40
-6
-30
-5
-4
-20
T J = 125oC
-3
T J = 25oC
-2
-10
-1
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
- 100.0
- 10.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
100μs
1ms
Coss
10ms
100
- 1.0
f = 1 MHz
Crss
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
10
- 0.1
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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